TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
部件编号：
TPW4R008NH,L1Q
替代型号：
DMT10H010LPS-13 , FDMC4435BZ , CZ3A05 , TPH4R008NH , L1Q , LTC4311CSC6#TRPBF , TK3R1A04PL , S4X , LP5907MFX-2.5/NOPB , TK20N60W5 , S1VF , TK72A12N1 , S4X , TK11A65W , S5X
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
RoHS：
YES
TPW4R008NH,L1Q 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4mOhm @ 50A, 10V
漏源电压 (Vdss)：
80 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
59 nC @ 10 V
功耗（最大）：
800mW (Ta), 142W (Tc)
供应商设备包：
8-DSOP Advance
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5300 pF @ 40 V
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