RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
部件编号：
RRH100P03GZETB
替代型号：
RRH090P03GZETB , IPD380P06NMATMA1 , SI4425BDY-T1-E3 , 88E1510-A0-NNB2C000 , TLV7163318PDPQR , AXK6S20447M3 , BLA31BD221SN4D , DS92LV2411SQE/NOPB , SN65LV1023ADBR , BM09B-SRSS-TBT , G2RL-1A-E DC5 , NANOSMDC050F/13.2-2 , IRFIZ44NPBF , LP2997MRX/NOPB , 1SS352 , H3F
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
RoHS：
YES
RRH100P03GZETB 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
8-SOP
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
68 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12.6mOhm @ 10A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3600 pF @ 10 V
功耗（最大）：
650mW (Ta)
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