SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
部件编号:
SQM120P04-04L_GE3
替代型号:
DMG1012UW-7  ,  SMMBTA42LT1G  ,  IPD50N08S413ATMA1  ,  DMP1005UFDF-7  ,  DMN67D8LW-13  ,  PDSE1-S5-S5-S  ,  LTC7804HMSE#PBF  ,  SI4435FDY-T1-GE3  ,  CYPD4226-40LQXIT  ,  PDSE1-S5-S3-S  ,  NVTFS015N04CTAG  ,  SQD90P04-9M4L_GE3  ,  TDP142IRNQT  ,  MPQ4423AGQ-AEC1-Z  ,  IPB180P04P403ATMA2
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
RoHS:
YES
SQM120P04-04L_GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
年级:
Automotive
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
40 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
Vgs(最大):
±20V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.5V @ 250µA
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
资质:
AEC-Q101
供应商设备包:
TO-263 (D2PAK)
包装/箱:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗(最大):
375W (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
330 nC @ 10 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
4mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
13980 pF @ 20 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:2818
数量
单价
国际价格
800
2.32
1856
1600
1.99
3184
2400
1.87
4488
5600
1.79
10024
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