SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
部件编号：
SQM120P04-04L_GE3
替代型号：
DMG1012UW-7 , SMMBTA42LT1G , IPD50N08S413ATMA1 , DMP1005UFDF-7 , DMN67D8LW-13 , PDSE1-S5-S5-S , LTC7804HMSE#PBF , SI4435FDY-T1-GE3 , CYPD4226-40LQXIT , PDSE1-S5-S3-S , NVTFS015N04CTAG , SQD90P04-9M4L_GE3 , TDP142IRNQT , MPQ4423AGQ-AEC1-Z , IPB180P04P403ATMA2
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
RoHS：
YES
SQM120P04-04L_GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
资质：
AEC-Q101
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
375W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
330 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
13980 pF @ 20 V
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