SQM100N10-10_GE3
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
部件编号：
SQM100N10-10_GE3
替代型号：
SQM100P10-19L_GE3 , SQM40031EL_GE3 , SQJQ112E-T1_GE3 , PJ-082BH , SQM47N10-24L_GE3 , SQR70090ELR_GE3 , ZXTN2018FTA , IXFA130N10T2 , IPB120N10S405ATMA1 , SQM70060EL_GE3 , SQS411ENW-T1_GE3 , GG0603052R542P , 2N3501UB , SUM90N10-8M2P-E3 , ZXTP2027FTA
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
RoHS：
YES
SQM100N10-10_GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
资质：
AEC-Q101
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
375W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
10.5mOhm @ 30A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
185 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
8050 pF @ 25 V
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