SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
部件编号：
SQM120P06-07L_GE3
替代型号：
SUM110P06-08L-E3 , AOB380A60CL , ADUM142D0BRZ , SUM110P06-07L-E3 , MER1S4815SC , INA826AIDR , SUM110P08-11L-E3 , 7798 , STD47N10F7AG , SQJ488EP-T1_GE3 , MCB110P06Y-TP , 7792 , BUK9Y7R2-60E , 115 , C3D10060A , IXTA120P065T
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
RoHS：
YES
SQM120P06-07L_GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
375W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
270 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.7mOhm @ 30A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
14280 pF @ 25 V
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