STL11N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
部件编号：
STL11N65M5
替代型号：
TLE8082ESXUMA1 , CY62177EV18LL-70BAXI , MIC2128YML-TR , MC3403DR2G , APDS-9006-020 , MMPF0100F6ANES , CAT4139TD-GT3 , SIR873DP-T1-GE3 , NCV7748D2R2G , SIR610DP-T1-RE3 , CY62167EV30LL-45ZXA , PGA204BU , CAT4237TD-GT3 , SIA446DJ-T1-GE3 , 25LC256-I/P
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
RoHS：
YES
STL11N65M5 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerVDFN
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
650 V
Vgs（最大）：
±25V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
17 nC @ 10 V
功耗（最大）：
70W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
8.5A (Tc)
供应商设备包：
PowerFLAT™ (5x5)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
530mOhm @ 4.25A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
644 pF @ 100 V
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