STL11N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
部件编号:
STL11N65M5
替代型号:
TLE8082ESXUMA1  ,  CY62177EV18LL-70BAXI  ,  MIC2128YML-TR  ,  MC3403DR2G  ,  APDS-9006-020  ,  MMPF0100F6ANES  ,  CAT4139TD-GT3  ,  SIR873DP-T1-GE3  ,  NCV7748D2R2G  ,  SIR610DP-T1-RE3  ,  CY62167EV30LL-45ZXA  ,  PGA204BU  ,  CAT4237TD-GT3  ,  SIA446DJ-T1-GE3  ,  25LC256-I/P
制造商:
STMicroelectronics
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
RoHS:
YES
STL11N65M5 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
8-PowerVDFN
Vgs(th)(最大值)@Id:
5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
650 V
Vgs(最大):
±25V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
17 nC @ 10 V
功耗(最大):
70W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
8.5A (Tc)
供应商设备包:
PowerFLAT™ (5x5)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
530mOhm @ 4.25A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
644 pF @ 100 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
3000
1.13
3390
6000
1.1
6600
9000
1.06
9540
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码