STH260N6F6-6
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
部件编号：
STH260N6F6-6
替代型号：
SQM50P04-09L_GE3 , IPB017N06N3GATMA1 , PCV1J100MCL1GS
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
RoHS：
YES
STH260N6F6-6 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
功耗（最大）：
300W (Tc)
包装/箱：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
180A (Tc)
供应商设备包：
H2PAK-6
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
11800 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
183 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.4mOhm @ 60A, 10V
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