FDMC7200
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
FDMC7200 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerWDFN
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
660pF @ 15V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
10nC @ 10V
供应商设备包：
8-Power33 (3x3)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A, 8A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
23.5mOhm @ 6A, 10V
功率 - 最大：
700mW, 900mW
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