SIHP33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
部件编号：
SIHP33N60EF-GE3
替代型号：
STP45N65M5 , SIHP100N60E-GE3 , IXTP34N65X2 , IPP60R080P7XKSA1 , STW45N65M5 , IPP60R099CPXKSA1 , STP11NM60FD
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
RoHS：
YES
SIHP33N60EF-GE3 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
TO-220AB
包装/箱：
TO-220-3
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
功耗（最大）：
278W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
33A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
98mOhm @ 16.5A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3454 pF @ 100 V
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