R6025FNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
部件编号：
R6025FNZ1C9
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
RoHS：
YES
R6025FNZ1C9 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
功耗（最大）：
150W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
600 V
包装/箱：
TO-247-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
25A (Tc)
供应商设备包：
TO-247
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
85 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 1mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3500 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
180mOhm @ 12.5A, 10V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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