VT6K1T2CR
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
VT6K1T2CR 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
包装/箱：
6-SMD, Flat Leads
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
20V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
场效应管特性：
Logic Level Gate, 1.2V Drive
功率 - 最大：
120mW
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 100µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
7.1pF @ 10V
供应商设备包：
VMT6
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