TT8M3TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
TT8M3TR 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
包装/箱：
8-SMD, Flat Lead
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20V
功率 - 最大：
1W
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 1mA
供应商设备包：
8-TSST
场效应管特性：
Logic Level Gate, 1.5V Drive
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
3.6nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.5A, 2.4A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
260pF @ 10V
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