TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
部件编号：
TT8M1TR
替代型号：
D32G-016.368M , AFS20A42-1575.42-T3 , SI5515CDC-T1-GE3 , Q 0 , 032768-JTX310-12 , 5-10-T1-HMR-50K-LF , W25N512GVEIG , NTHD3100CT1G , EFM32HG310F64G-C-QFN32R , W25N01GVZEIG TR , DX07S016JA1R1500 , 416131160803 , SML-D12U1WT86 , BLM15HB221SH1D , MP-2016-1100-65-80 , 5023820670 , PRTR5V0U2AX , 235
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
RoHS：
YES
TT8M1TR 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.5A
功率 - 最大：
1W
Vgs(th)（最大值）@Id：
1V @ 1mA
供应商设备包：
8-TSST
场效应管特性：
Logic Level Gate, 1.5V Drive
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
3.6nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
260pF @ 10V
包装/箱：
8-SMD, Flat Leads
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