SPP20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
部件编号：
SPP20N65C3XKSA1
替代型号：
IPP075N15N3GXKSA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
RoHS：
YES
SPP20N65C3XKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
漏源电压 (Vdss)：
650 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2400 pF @ 25 V
供应商设备包：
PG-TO220-3
功耗（最大）：
208W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
114 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.9V @ 1mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
20.7A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
190mOhm @ 13.1A, 10V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：2060
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