CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
部件编号：
CSD17579Q3AT
替代型号：
CSD17579Q3A , CSD17579Q3A , RQ3E100BNTB , LT4293IDD#PBF , CSD17308Q3 , RQ3E120BNTB , PMEG4010CEAX , A767MU226M2ALAE038 , DMG1012T-7 , DG2788ADN-T1-GE4 , BSC320N20NS3GATMA1 , 218-2LPSTR , CMHZ5258B TR PBFREE , LT8309HS5#TRMPBF , SQ2310ES-T1_GE3 , TPS3840DL31DBVRQ1
制造商：
Texas Instruments
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
RoHS：
YES
CSD17579Q3AT 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerVDFN
漏源电压 (Vdss)：
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
20A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
15 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.9V @ 250µA
供应商设备包：
8-VSONP (3x3.3)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
10.2mOhm @ 8A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
998 pF @ 15 V
功耗（最大）：
3.2W (Ta), 29W (Tc)
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