CSD16570Q5B
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
部件编号：
CSD16570Q5B
替代型号：
CSD16570Q5BT , CSD16570Q5BT , TPS7A3001DRBR , BLM18KG121TN1D , TPWR6003PL , L1Q , MPZ2012S331AT000 , CSD87350Q5D , SN74AXC4T774RSVR , BLA31AG300SN4D , CONMHF4-SMD-G-T , NFE31PT222Z1E9L , PR20C03VBDN , SN65DP141RLJR , CEZ20V , L3F , CSD22206WT , TPS40170RGYR
制造商：
Texas Instruments
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
RoHS：
YES
CSD16570Q5B 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerTDFN
漏源电压 (Vdss)：
25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
250 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.9V @ 250µA
供应商设备包：
8-VSON-CLIP (5x6)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
0.59mOhm @ 50A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
14000 pF @ 12 V
功耗（最大）：
3.2W (Ta), 195W (Tc)
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