TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
部件编号：
TPN2010FNH,L1Q
替代型号：
TPN1110ENH , L1Q , MJD31CH-QJ , SK320B , SI3127DV-T1-GE3 , BSZ42DN25NS3GATMA1 , LT1210CR#PBF , A3950SEUTR-T , SIA456DJ-T1-GE3 , 150060RS75000 , SI7922DN-T1-E3 , BSS316NH6327XTSA1 , PUMT1 , 115 , BGM220PC22HNA2 , MMPQ6700 , FTSH-105-01-L-DV-K-P
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
RoHS：
YES
TPN2010FNH,L1Q 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
漏源电压 (Vdss)：
250 V
供应商设备包：
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 200µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.6A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
198mOhm @ 2.8A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
600 pF @ 100 V
功耗（最大）：
700mW (Ta), 39W (Tc)
您可能感兴趣的产品
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
更多订购
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
更多订购
FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
更多订购
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
$0.28
更多订购
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
$0.07
更多订购
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
$0.1
更多订购
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
$1.19
更多订购
IRFI7446GPBF
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
更多订购
IRFI7440GPBF
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB FP
更多订购
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
更多订购
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
$1.12
更多订购
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
更多订购
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
更多订购
快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：2555
数量
单价
国际价格
5000
0.72
3600
10000
0.69
6900
温馨提示：请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
