TPN1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
部件编号：
TPN1110ENH,L1Q
替代型号：
TPN2010FNH , L1Q , BSC027N10NS5ATMA1 , BSZ900N20NS3GATMA1 , BSC22DN20NS3GATMA1 , ES2D
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
RoHS：
YES
TPN1110ENH,L1Q 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.2A (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
200 V
供应商设备包：
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 200µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
600 pF @ 100 V
功耗（最大）：
700mW (Ta), 39W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
114mOhm @ 3.6A, 10V
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