TPH5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
部件编号：
TPH5900CNH,L1Q
替代型号：
SQJ872EP-T1_GE3 , BSZ900N15NS3GATMA1 , TPS26601RHFT , SQSA70CENW-T1_GE3 , TLP2372(TPL , E , TPH3300CNH , L1Q , LM43600PWPT , IPB060N15N5ATMA1 , SIR510DP-T1-RE3 , DMTH15H017SPS-13 , TPH2900ENH , L1Q , NTMFS4C302NT1G , RB168MM200TFTR , 7466205R , LM43601PWPT
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
RoHS：
YES
TPH5900CNH,L1Q 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9A (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
150 V
供应商设备包：
8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 200µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
59mOhm @ 4.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7 nC @ 10 V
功耗（最大）：
1.6W (Ta), 42W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
600 pF @ 75 V
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标准包装数量：15558
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