TPH5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
部件编号:
TPH5900CNH,L1Q
替代型号:
SQJ872EP-T1_GE3  ,  BSZ900N15NS3GATMA1  ,  TPS26601RHFT  ,  SQSA70CENW-T1_GE3  ,  TLP2372(TPL  ,  E  ,  TPH3300CNH  ,  L1Q  ,  LM43600PWPT  ,  IPB060N15N5ATMA1  ,  SIR510DP-T1-RE3  ,  DMTH15H017SPS-13  ,  TPH2900ENH  ,  L1Q  ,  NTMFS4C302NT1G  ,  RB168MM200TFTR  ,  7466205R  ,  LM43601PWPT
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
RoHS:
YES
TPH5900CNH,L1Q 规格
安装类型:
Surface Mount
工作温度:
150°C (TJ)
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
包装/箱:
8-PowerVDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
9A (Ta)
漏源电压 (Vdss):
150 V
供应商设备包:
8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 200µA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
59mOhm @ 4.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
7 nC @ 10 V
功耗(最大):
1.6W (Ta), 42W (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
600 pF @ 75 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:15558
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