RFD3055LE
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
部件编号:
RFD3055LE
替代型号:
STD12NF06L-1  ,  G6EK-134P-ST-US-DC9  ,  RFD3055LESM9A  ,  IRFU024PBF  ,  LMK62E2-100M00SIAT  ,  IRLU024PBF  ,  629104190121  ,  IRLU014PBF  ,  7498111001  ,  LMH6657MF/NOPB  ,  MC34064P-5RAG  ,  FQU13N06LTU
制造商:
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
RoHS:
YES
RFD3055LE 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
60 V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)(最大值)@Id:
3V @ 250µA
包装/箱:
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
5V
供应商设备包:
IPAK
Vgs(最大):
±16V
功耗(最大):
38W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
11.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
350 pF @ 25 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
107mOhm @ 8A, 5V
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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