CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
部件编号：
CSD85312Q3E
替代型号：
TPS25830AQCWRHBRQ1 , TPS25830QWRHBTQ1 , ACP3225-501-2P-T000 , DP83867ERGZT , LTC4365HDDB#TRMPBF , DF61Y-2P-2.2V(23) , XZFBBZEBM2DGZ157W , TPS259470LRPWR , CDCI6214RGET , PCMF3HDMI2SZ , TPS1H100BQPWPRQ1 , USB4200-03-A , SIT1566AI-JE-18E-32.768E , ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3 , INA226AQDGSRQ1
制造商：
Texas Instruments
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
RoHS：
YES
CSD85312Q3E 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerVDFN
漏源电压 (Vdss)：
20V
配置：
2 N-Channel (Dual) Common Source
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.4V @ 250µA
功率 - 最大：
2.5W
场效应管特性：
Logic Level Gate, 5V Drive
供应商设备包：
8-VSON (3.3x3.3)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
39A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12.4mOhm @ 10A, 8V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
15.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2390pF @ 10V
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