SIR770DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
部件编号:
SIR770DP-T1-GE3
替代型号:
PMF250XNEX  ,  NCV8452STT1G
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
RoHS:
YES
SIR770DP-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置:
2 N-Channel (Dual)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
21mOhm @ 8A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
900pF @ 15V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.8V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
8A
包装/箱:
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包:
PowerPAK® SO-8 Dual
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
21nC @ 10V
功率 - 最大:
17.8W
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
3000
0.52
1560
6000
0.5
3000
9000
0.47
4230
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