SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
部件编号：
SI7157DP-T1-GE3
替代型号：
SI7137DP-T1-GE3 , BSS138 , SN74AVC4T245RSVR , REF3012AIDBZT , BSS138 , SML-LX0603GW-TR , SUM70060E-GE3 , SN74AVC1T45DCKR , TPD4S012DRYR , PCA9544ARGYR , MC-306 32.7680K-A0:ROHS , SIR873DP-T1-GE3 , SI3932DV-T1-GE3 , SN74LVC1G08DCKR , AON6411
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7157DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
625 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
22000 pF @ 10 V
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