SI4491EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
部件编号：
SI4491EDY-T1-GE3
替代型号：
SI4143DY-T1-GE3 , LTC3643EUDD#PBF , TSB512IYDT , IRF9310TRPBF , INA821IDGKT , 62000411121 , MCP1793T-3302H/OT , ATTINY416-MNR , 20TQC47MYF , FDS6673BZ , SI4497DY-T1-GE3 , IRF9317TRPBF , SI4459BDY-T1-GE3 , 1N4148WS-7-F , SI4835DDY-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
RoHS：
YES
SI4491EDY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±25V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.8V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
153 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
17.3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.5mOhm @ 13A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4620 pF @ 15 V
功耗（最大）：
3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
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标准包装数量：9553
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