SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
部件编号:
SI4455DY-T1-GE3
替代型号:
0433AT62A0020001E  ,  0433BM41A0019001E  ,  FDS86267P  ,  SUM60020E-GE3  ,  SI4455DY-T1-E3  ,  D5V0S1U2WS-7  ,  FTSH-105-01-L-DV-K-P  ,  PA1005.100NL  ,  ZXTN25100BFHTA  ,  M80-5001242  ,  FDS6375  ,  MMSZ5267BT1G  ,  7460305  ,  M80-5000442  ,  SI4848DY-T1-E3  ,  2031-42T-SM-RPLF  ,  SMAJ43CA-E3/61
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
RoHS:
YES
SI4455DY-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
供应商设备包:
8-SOIC
包装/箱:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
6V, 10V
Vgs(最大):
±20V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
150 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
1190 pF @ 50 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
42 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
295mOhm @ 4A, 10V
功耗(最大):
5.9W (Tc)
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:33059
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单价
国际价格
2500
0.72
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5000
0.68
3400
12500
0.65
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