SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
部件编号：
SI4447ADY-T1-GE3
替代型号：
SI4431CDY-T1-GE3 , BQ24600RVAR , IM06TS , NTB0104BQ , 115 , EXB-2HV103JV , BZT52C7V5S-7-F , 50105C , 7499111447 , EL3H7(C)(TA)-VG , USB-B-S-RA-WT-SPCC , 614004134726 , PI3740-00-LGIZ , MAX14840EASA+T , LMR33640ADDAR , 1827907
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
RoHS：
YES
SI4447ADY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
场效应管类型：
P-Channel
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
38 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.2A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
45mOhm @ 5A, 10V
功耗（最大）：
4.2W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
970 pF @ 20 V
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