SI4101DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
部件编号：
SI4101DY-T1-GE3
替代型号：
SI4143DY-T1-GE3 , 155060VS75300 , LMC555CMM , DZDH0401DW-7 , PESD3V3S2UT , 215 , DMP3036SSS-13 , IRF9317TRPBF , 1.5SMBJ30CA , FDS6681Z , 742792030 , IS25LP128F-JBLA3 , SBRD10200 , AP2114HA-3.3TRG1 , SI4435FDY-T1-GE3 , CDSOD323-T03S
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
RoHS：
YES
SI4101DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6mOhm @ 15A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
25.7A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
203 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
8190 pF @ 15 V
功耗（最大）：
6W (Tc)
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