SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
部件编号：
SI3585CDV-T1-GE3
替代型号：
FDC6327C , MAX40203AUK+T , NSRLL30XV2T5G , DMG6601LVT-7 , SI1034CX-T1-GE3 , ATECC608B-MAHCZ-S , MCP79512-I/MS , SI3590DV-T1-E3 , CDBU0530-HF , DMC3071LVT-7 , LFCN-7200+ , BAV199WQ-7 , CP2102N-A02-GQFN20R , DMG1029SV-7 , ADT2-1T+
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3585CDV-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包：
6-TSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.9A, 2.1A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
58mOhm @ 2.5A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
4.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
150pF @ 10V
功率 - 最大：
1.4W, 1.3W
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