SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
部件编号:
SI1013CX-T1-GE3
替代型号:
FDY102PZ  ,  DMG1012T-7  ,  SI1302DL-T1-E3  ,  NTE4151PT1G  ,  MABA-007569-ETK42T  ,  SI1062X-T1-GE3  ,  TPD8F003DQDR  ,  B207LA0S  ,  009276004021006  ,  SI7415DN-T1-GE3  ,  BSS84PWH6327XTSA1  ,  SI1013X-T1-GE3  ,  SISA88DN-T1-GE3  ,  DMG1013UW-7  ,  SF-1206SP350M-2
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
RoHS:
YES
SI1013CX-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
漏源电压 (Vdss):
20 V
Vgs(最大):
±8V
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 250µA
包装/箱:
SC-89, SOT-490
供应商设备包:
SC-89-3
功耗(最大):
190mW (Ta)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
2.5 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
450mA (Ta)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
45 pF @ 10 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
760mOhm @ 400mA, 4.5V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:36746
数量
单价
国际价格
3000
0.09
270
6000
0.09
540
9000
0.08
720
30000
0.08
2400
75000
0.07
5250
150000
0.07
10500
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