SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
部件编号:
SI1012CR-T1-GE3
替代型号:
NTA4153NT1G  ,  SML-310MTT86  ,  HIF3FC-10PA-2.54DSA(71)  ,  ATS-61270K-C1-R0  ,  BAT54XV2T1G  ,  CX3225SB48000D0FPLCC  ,  SI1013R-T1-GE3  ,  5988510207F  ,  FDV305N  ,  7427927311  ,  AT25M01-SSHM-B  ,  BLM15AG221SN1D  ,  MPZ1608S221ATA00  ,  SIP32408DNP-T1-GE4  ,  NDS331N
制造商:
Vishay / Siliconix
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 20V SC75A
RoHS:
YES
SI1012CR-T1-GE3 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
20 V
包装/箱:
SC-75, SOT-416
Vgs(最大):
±8V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
1.5V, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id:
1V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
630mA (Ta)
供应商设备包:
SC-75A
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
43 pF @ 10 V
功耗(最大):
240mW (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
396mOhm @ 600mA, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
2 nC @ 8 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:89314
数量
单价
国际价格
3000
0.11
330
6000
0.11
660
9000
0.1
900
30000
0.09
2700
75000
0.08
6000
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