IRFD113PBF
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
部件编号：
IRFD113PBF
替代型号：
PMV450ENEAR , IRFD220PBF , GSFF0308
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
RoHS：
YES
IRFD113PBF 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
功耗（最大）：
1W (Tc)
供应商设备包：
4-HVMDIP
包装/箱：
4-DIP (0.300", 7.62mm)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
200 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
800mA (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
800mOhm @ 800mA, 10V
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标准包装数量：3904
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