RQJ0303PGDQA#H6
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
部件编号：
RQJ0303PGDQA#H6
替代型号：
TPD2E1B06DRLR , RQ6E035ATTCR , LTC6804IG-1#TRPBF , SN74LVC1G373DBVR , BAT46W-7-F , PCA9306DCTR
制造商：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
RoHS：
YES
RQJ0303PGDQA#H6 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏源电压 (Vdss)：
30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12 nC @ 10 V
功耗（最大）：
800mW (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
68mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs（最大）：
+10V, -20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
625 pF @ 10 V
供应商设备包：
3-MPAK
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