C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
部件编号：
C2M1000170D
替代型号：
MGJ2D121505SC , MGJ2D241505SC , MGJ2D051505SC , MGJ3T12150505MC-R7 , MGJ2D151505SC , MGJ3T24150505MC-R7 , MGJ3T05150505MC-R7 , MGJ3T12150505MC-R13 , MGJ3T24150505MC-R13 , MGJ3T05150505MC-R13 , C2M1000170J , G2R1000MT17D , SICW1000N170A-BP , IXTH2N170D2 , MSC750SMA170B , WA-T247-101E , DN2540N5-G , MSC750SMA170B4 , C3M0120065K , IXDN609SI , UF3C065030K3S , 2N2222A , BZT52C20TQ-7-F , ACNT-H79A-500E , UCC28C43QDRQ1
制造商：
Wolfspeed
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
RoHS：
YES
C2M1000170D 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-247-3
供应商设备包：
TO-247-3
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）：
+25V, -10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 500µA
功耗（最大）：
69W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
1700 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.9A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.1Ohm @ 2A, 20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
191 pF @ 1000 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：2269
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