SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
部件编号：
SI7317DN-T1-GE3
替代型号：
FDMC2523P , SI7315DN-T1-GE3 , ADA4661-2ARMZ-RL , SWR25X-NRTC-S06-ST-BA , 91911-31341LF , INA271AIDR , 1722981114 , DMN2451UFB4Q-7B , DMP21D0UFB-7B , 2SA2153-TD-E , TLV3011AIDCKR , TLV9032QDRQ1 , MCP1755ST-3302E/DB , BD450M5WFPJ-CZE2 , DS90C402MX/NOPB
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7317DN-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
漏源电压 (Vdss)：
150 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.2Ohm @ 500mA, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
9.8 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.8A (Tc)
功耗（最大）：
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
365 pF @ 75 V
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