SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
部件编号：
SI2356DS-T1-GE3
替代型号：
SI2356DS-T1-BE3 , SSM3J327R , LF , CRS08(TE85L , Q , M) , RQ5H020TNTL , 3220-10-0300-00 , LT8609IMSE#TRPBF , SIR638DP-T1-GE3 , MBRM140T1G , ZXMP6A13FTA , SI1902CDL-T1-GE3 , SMAJ12CA-Q , ESD5Z3.3T5G , LTC4412HVIS6#TRMPBF , IPD60R180P7SAUMA1 , 9774020951R
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
RoHS：
YES
SI2356DS-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 10 V
Vgs（最大）：
±12V
供应商设备包：
SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.3A (Tc)
功耗（最大）：
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
51mOhm @ 3.2A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
370 pF @ 20 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：4314
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