STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
部件编号：
STB7ANM60N
替代型号：
SDURD520
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
RoHS：
YES
STB7ANM60N 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
资质：
AEC-Q101
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包：
D2PAK
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs（最大）：
±25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5A (Tc)
功耗（最大）：
45W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
14 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
363 pF @ 50 V
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标准包装数量：2557
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