STP80N6F6
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
STP80N6F6 规格
安装类型：
Through Hole
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
资质：
AEC-Q101
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
供应商设备包：
TO-220
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
110A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
122 nC @ 10 V
功耗（最大）：
120W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
5.8mOhm @ 50A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
7480 pF @ 25 V
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