STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
部件编号：
STB9NK80Z
替代型号：
IPB65R050CFD7AATMA1 , IPW65R050CFD7AXKSA1 , SCS215AEGC11 , AZSR131-1AE-12D , SMF5V0TFTR , IPW60R080P7XKSA1 , SMAJ150CA-Q , LM239PT , IXFA7N80P , 1N4148WS-E3-08 , NC20K00103JBA , TLP291(V4GBTP , SE , V14P510AUTO , B59752C0120A070 , HM2113ZNLT
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
RoHS：
YES
STB9NK80Z 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
资质：
AEC-Q101
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包：
D2PAK
功耗（最大）：
125W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
800 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 100µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.2A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
40 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1138 pF @ 25 V
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标准包装数量：2526
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