STP10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
部件编号：
STP10N60M2
替代型号：
FCP600N65S3R0
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
RoHS：
YES
STP10N60M2 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs（最大）：
±25V
供应商设备包：
TO-220
功耗（最大）：
85W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
600mOhm @ 3A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.5A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
400 pF @ 100 V
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快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：2330
数量
单价
国际价格
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