SIRA36DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
部件编号：
SIRA36DP-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SIRA36DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
40A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
56 nC @ 10 V
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
Vgs（最大）：
+20V, -16V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.8mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2815 pF @ 15 V
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标准包装数量：4628
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