IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
部件编号：
IXTT10N100D2
替代型号：
IXTT16N50D2 , IXTT16N20D2
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
RoHS：
YES
IXTT10N100D2 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10A (Tc)
场效应管特性：
Depletion Mode
功耗（最大）：
695W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5320 pF @ 25 V
包装/箱：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商设备包：
TO-268AA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.5Ohm @ 5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
200 nC @ 5 V
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制造商标准交期：待定
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