IXFN210N30P3
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
部件编号：
IXFN210N30P3
替代型号：
HCPL-3120-300E , IXFN210N20P , ACS758LCB-100B-PFF-T , IXFN210N30X3 , IXFK210N30X3 , ACS758ECB-200B-PFF-T , M29F800FT55N3E2 , SE50PAJHM3/I , NCV33035DWR2G , TMR 9-2422 , LM124DR , ADG201ASRZ-EP , CD4048BM
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
RoHS：
YES
IXFN210N30P3 规格
安装类型：
Chassis Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
SOT-227-4, miniBLOC
供应商设备包：
SOT-227B
漏源电压 (Vdss)：
300 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 8mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
192A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
16200 pF @ 25 V
功耗（最大）：
1500W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
14.5mOhm @ 105A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
268 nC @ 10 V
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