IPW65R099C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
部件编号:
IPW65R099C6FKSA1
替代型号:
IPW60R041C6FKSA1  ,  IPW65R065C7XKSA1  ,  2EDN7524FXTMA1  ,  2EDN7523FXTMA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
RoHS:
YES
IPW65R099C6FKSA1 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss):
650 V
包装/箱:
TO-247-3
功耗(最大):
278W (Tc)
供应商设备包:
PG-TO247-3-1
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
38A (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
127 nC @ 10 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
3.5V @ 1.2mA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
99mOhm @ 12.8A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
2780 pF @ 100 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
1
8.59
8.59
30
6.86
205.8
120
6.14
736.8
510
5.41
2759.1
1020
4.87
4967.4
2010
4.57
9185.7
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