IPU50R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
部件编号：
IPU50R1K4CEBKMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
RoHS：
NO
IPU50R1K4CEBKMA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
供应商设备包：
PG-TO251-3
漏源电压 (Vdss)：
500 V
功耗（最大）：
25W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
8.2 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
13V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.1A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 70µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.4Ohm @ 900mA, 13V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
178 pF @ 100 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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