IPS65R950C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
部件编号：
IPS65R950C6AKMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
RoHS：
YES
IPS65R950C6AKMA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
650 V
包装/箱：
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.5A (Tc)
功耗（最大）：
37W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
950mOhm @ 1.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
15.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
328 pF @ 100 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 200µA
供应商设备包：
PG-TO251-3-11
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1750
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