NE3521M04-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
部件编号：
NE3521M04-A
替代型号：
NE3521M04-T2-A
制造商：
CEL (California Eastern Laboratories)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
RF FETs, MOSFETs >
描述：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
RoHS：
NO
NE3521M04-A 规格
额定电压：
3 V
包装/箱：
4-SMD, Flat Leads
配置：
N-Channel
电压 - 测试：
2 V
额定电流（安培）：
15mA
技术：
GaAs HJ-FET
获得：
10.5dB
频率：
20GHz
噪声系数：
0.85dB
当前-测试：
6 mA
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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