STI10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
部件编号：
STI10NM60N
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
RoHS：
YES
STI10NM60N 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs（最大）：
±25V
包装/箱：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
功耗（最大）：
70W (Tc)
供应商设备包：
TO-262 (I2PAK)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
550mOhm @ 4A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
19 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
540 pF @ 50 V
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