STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STF9N60M2 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
Vgs（最大）：
±25V
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack
供应商设备包：
TO-220FP
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
10 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.5A (Tc)
功耗（最大）：
20W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
780mOhm @ 3A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
320 pF @ 100 V
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