STL12P6F6
MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
部件编号：
STL12P6F6
替代型号：
STL60P4LLF6 , ISC800P06LMATMA1 , LPC55S16JBD100E , MAX17760ATC+ , STL42P6LLF6 , MSS1P5HM3_A/H , LTC7860EMSE#PBF , LT3502AEDC#TRPBF , ST3485EIDT , ADUM3190TRQZ-RL7 , SI4463CDY-T1-GE3 , SM2T3V3A , STL30P3LLH6 , ADP1071-2ARWZ , MCR706AT4G
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
RoHS：
YES
STL12P6F6 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
供应商设备包：
PowerFlat™ (5x6)
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
6.4 nC @ 10 V
功耗（最大）：
75W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
160mOhm @ 1.5A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
340 pF @ 48 V
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