NP100N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 100A TO263
部件编号：
NP100N055PUK-E1-AY
替代型号：
IPB90N06S4L04ATMA2
制造商：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 55V 100A TO263
RoHS：
YES
NP100N055PUK-E1-AY 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
漏源电压 (Vdss)：
55 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作温度：
175°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
120 nC @ 10 V
功耗（最大）：
1.8W (Ta), 176W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
7350 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.25mOhm @ 50A, 10V
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